B69842N4967A130

B69842N4967A130 datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

B69842N4967A130 datasheet

Маркировка

B69842N4967A130
Производитель

Epcos
Описание

Epcos B69842N4967A130 Mfr Package Description: CERAMIC, SMD, 3 PIN Mounting Type: SURFACE MOUNT Physical Dimension: L3.0XB2.4XH1.6 (mm)/L0.118XB0.094XH0.063 (inch) Manufacturer Series: S2H1/1/7 Operating Temperature-Max: 85 Cel Operating Temperature-Min: -40 Cel VSWR: 2 Filter Type: CERAMIC BPF Insertion Loss-Max: 1.3 dB Average Input Power: 1 W Impedance: 50 ohm Center or Cutoff Frequency (fo/fc): 4965 MHz
Количество страниц

6 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet B69842N4967A130.pdf
Файл формата Pdf 156,45 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

B69842N4967A130Онлайн Компоненты

B69842N4967A130ЭИК

B69842N4967A130ТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Продукция NKK Switches

Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.